留学群专题频道半导体栏目，提供与半导体相关的所有资讯，希望我们所做的能让您感到满意！ 半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。
由于美国经济安全严重依赖于微电子专业领域的发展，因此普渡大学首推全美第一个半导体专业。普渡大学半导体专业如何？具体情况接下来跟随留学群小编一起来看看吧！
1.全美首推影响深远：
在印第安纳州西拉法叶市——未来五年，美国将需要至少50，000名经过培训的半导体工程师来满足压倒性且快速增长的需求下，普渡大学响应了这一号召，成为美国第一所在半导体和微电子领域推出一套全面的创新、跨学科学位和证书的大学。
半导体学位项目（SDP）是一套创新的普渡学位和证书，将教育研究生和本科生，促进技术人才的快速增长，并创造下一代半导体劳动力，以重申美国在这一关键行业的领先地位，这个计划已经于2022年5月正式启动了。
为了这个专业学生的顺利就读，普渡大学工程学院与无晶圆芯片制造商联发科公司合作，在普渡大学校园内开设首个半导体芯片设计中心。
新的半导体设计中心直接设立在校园内，让该校学生有机会看到自己的创新研究融入一个全球IC设计公司的產品设计或解决方案的一环。此次合作也将为印第安纳州吸引高阶半导体设计人才。
2.具有多个独特优势：
6合1的教学内容：半导体产业中的所有关键领域—化学/材料、设备（tool）、设计、制造和封装，外加供应链管理。
资格证书的选择：理学硕士文凭、研究生等级的专业技能证书（stackable certificate）、理学学士学位的辅修／研究方向（concentration），以及通过与常春藤理工技术学院（IvyTechCommunityCollege）合作的副学士学位。
灵活的形式：有实体和线上课程。这将是美国第一个专门针对半导体的线上课程。
创新的授课方式：包含线上学习平台nano HUB和虚拟实验室、合作和实习机会，以及设计到制造的团体项目。
广泛的伙伴关系：由美国国防部的SCALE计划、美国半导体学院（ASA）和其他创造有益于芯片法案（CHIPS for American Act）劳动力的联盟建立基石。除此之外，由半导体领导企业的资深主管为SDP提供咨询。
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02-15
2019年河北半导体研究所考研成绩在2月15日就可以查询了，小编为大家提供河北半导体研究所2019考研成绩查询入口，一起来看看吧！希望大家考出好成绩！
河北半导体研究所2019考研成绩查询入口
河北半导体研究所2019考研成绩查询入口：https://yz.chsi.com.cn/apply/cjcx/
点击下面图片即可进入考研成绩查询入口：
按教育部有关规定，2019年全国硕士研究生招生考试成绩将于2月15日左右由各招生单位公布，考生可通过教育部研招网或招生单位公布的网站查询。
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09-13
考研招生简章频道为大家提供河北半导体研究所2019硕士学位研究生招生简章，一起来看看吧！更多考研资讯请关注我们网站的更新!
河北半导体研究所2019硕士学位研究生招生简章
学校名称: 河北半导体研究所
单位代码: 83004
地 址: 石家庄市合作路113号
电 话: 0311-87091576
邮政编码: 050051
河北半导体研究所位于河北省石家庄市，1956年建所,隶属于中国电子科技集团公司。河北半导体研究所经过五十多年的发展，已经发展成为覆盖整个微电子技术、光电子技术、微波小整机系统和微机械电子系统(MEMS)等领域的综合性半导体研究所。河北半导体研究所现有职工2000余人，承担863、973、国家自然科学基金项目等多项重点课题。自建所以来已取得2000多项科研成果，其中荣获国家级奖励的科研成果50多项，荣获部、省级奖励的科研成果300多项。
河北半导体研究所拥有一支力量雄厚，结构合理，极具创新活力的学术队伍，拥有国家重点实验室和博士后科研工作站，设有国家级检测中心和半导体器件计量站。河北半导体研究所为硕士研究生提供先进的实验平台，良好的生活待遇、充足的研究经费。欢迎优秀学生加入河北半导体研究所进行科研学习和工作，与全所职工一起为把河北半导体研究所办成国内一流的科研院所而不懈努力。
河北半导体研究所年计划招收学术型全日制硕士研究生15名，全部为定向培养，硕士研究生入学时与本所签订定向培养协议，学制2.5年。第一年在电子科技大学学习基础课和专业课，余下一年半时间在所内重点学习专业知识，并完成硕士学位论文工作。在学期间享受较高的助学金(900元/月)和职工福利待遇，学业优秀者，还给予相应的奖励。欢迎全国重点高校相关专业的毕业生报考河北半导体研究所。
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09-04
小编为大家提供中国科学院大学2019考研大纲：804半导体物理，一起来学习一下吧！更多考研资讯请关注我们网站的更新!
中国科学院大学2019考研大纲：804半导体物理
中国科学院大学硕士研究生入学考试《半导体物理》考试大纲
本《半导体物理》考试大纲适用于中国科学院大学微电子学与固体电子学专业的硕士研究生入学考试。半导体物理学是现代微电子学与固体电子学的重要基础理论课程，它的主要内容包括半导体的晶格结构和电子状态;杂质和缺陷能级;载流子的统计分布;载流子的散射及电导问题;非平衡载流子的产生、复合及其运动规律;半导体的表面和界面─包括p-n结、金属半导体接触、半导体表面及MIS结构、异质结;半导体的光、热、磁、压阻等物理现象和非晶半导体部分。要求考生对其基本概念有较深入的了解，能够系统地掌握书中基本定律的推导、证明和应用，并具有综合运用所学知识分析问题和解决问题的能力。
一、考试形式
(一)闭卷，笔试，考试时间180分钟，试卷总分150分
(二)试卷结构
第一部分：名词解释， 约50分
第二部分：简答题，约20分
第三部分：计算题、证明题，约80分
二、考试内容
(一)半导体的电子状态：
半导体的晶格结构和结合性质，半导体中的电子状态和能带，半导体中的电子运动和有效质量，本征半导体的导电机构，空穴，回旋共振，硅和锗的能带结构，III-V族化合物半导体的能带结构，II-VI族化合物半导体的能带结构
(二)半导体中杂质和缺陷能级：
硅、锗晶体中的杂质能级，III-V族化合物中杂质能级，缺陷、位错能级
(三)半导体中载流子的统计分布
状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体的载流子浓度，杂质半导体的载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体
(四)半导体的导电性
载流子的漂移运动，迁移率，载流子的散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，电阻率及其与杂质浓度和温度的关系，玻尔兹曼方程，电导率的统计理论，强电场下的效应，热载流子，多能谷散射，耿氏效应
(五)非平衡载流子
非平衡载流子的注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动，载流子的漂移运动，爱因斯坦关系式，连续性方程式
(六)p-n结
p-n结及其能带图，p-n结电流电压特性，p-n结电容，p-n结击穿，p-n结隧道效应
(七)金属和半导体的接触
金属半导体接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触
(八)半导体表面与MIS结构
表面态，表面电场效应，MIS结构的电容-电压特性，硅─二氧化硅系数的性质，表面电导及迁移率，表面电场对p-n结特性的影响
(九)异质结
异质结及其能带图，异质结的电流输运机构，异质结在器件中的应用，半导体超晶格
(十)半导体的光、热、磁、压阻等物理现象
半导体的光学常数，半...
02-24
留学群考研网为大家提供河北半导体研究所2018年考研调剂信息，更多考研资讯请关注我们网站的更新!
河北半导体研究所2018年考研调剂信息
2018年我所拟开展硕士研究生优秀生源调剂工作
接收专业：微电子学与固体电子学
一、基本条件
1、考生须达到2018年全国硕士研究生招生考试进入复试的初试成绩，即考生成绩(单科、总分)须达到国家2018年复试最低控制线要求
2、申请考生本科毕业院校需为985或211院校
3、微电子、微波电路、物理等专业方向
二、基本程序
1.在中国研究生招生信息网调剂系统开通前，请有意向的考生发送个人简历及初试成绩单至邮箱[email protected] ;邮件主题请以“姓名+初试分数+本科院校+本科专业”命名。并在调剂系统开通后，及时在系统填报调剂信息。
调剂系统开通后，可直接在调剂系统填报相关信息。
2.考生提交申请后，由我所进行资格审查，并组织符合条件的考生进行复试。
其他详情欢迎考生来电咨询
联系电话：0311-87091576 田老师
电子邮箱：[email protected]
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02-06
留学群考研网为大家提供河北半导体研究所2018考研调剂信息，更多考研资讯请关注我们网站的更新!
河北半导体研究所2018考研调剂信息
专业：微电子学与固体电子学
接收全国重点大学毕业，微电子、微波电路专业，成绩优良的调剂生源。
欢迎考生咨询
联系电话：0311-87091576
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01-25
留学群考研网为大家提供2018年河北半导体研究所考研初试成绩查询入口：http://www.hebeea.edu.cn/，更多考研资讯请关注我们网站的更新!
2018年河北半导体研究所考研成绩查询入口：http://www.hebeea.edu.cn/
点击下面图片即可查看考研成绩：
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河北省2018年全国硕士研究生招生考试初试成绩将于2018年2月3日公布(不包含报考外省研究生招生单位的考生成绩),请报考我省研究生招生单位的考生登录河北省教育考试院官方网站(http://www.hebeea.edu.cn )或官方微信，通过考生编号和报名所使用的居民身份证件号码进行查询。
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09-28
出国留学考研网为大家提供西安电子科技大学2018考研大纲：集成电路与半导体物理，更多考研资讯请关注我们网站的更新!
西安电子科技大学2018考研大纲：集成电路与半导体物理
“集成电路与半导体物理”(802)
一、 总体要求
“集成电路与半导体物理”(802)由数字集成电路和半导体物理二部分组成，其中集成电路占40%(60分)，半导体物理占60%(90分)。
“数字集成电路”要求学生应深入理解数字集成电路的相关基础理论，掌握数字集成电路电路、系统及其设计方法。重点掌握数字集成电路设计的质量评价、相关参量;能够设计并定量分析数字集成电路的核心——反相器的完整性、性能和能量指标;掌握CMOS组合逻辑门的设计、优化和评价指标;掌握基本时序逻辑电路的设计、优化、不同形式时序器件各自的特点，时钟的设计策略和影响因素;定性了解MOS器件;掌握并能够量化芯片内部互连线参数。
“半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。重点掌握半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律等。
“集成电路与半导体物理”(802)研究生入学考试是所学知识的总结性考试，考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。
二、 各部分复习要点
●“数字集成电路”部分各章复习要点
“数字集成电路”考试范围及要点包括：数字集成电路设计质量评价的基本要素;CMOS集成电路设计规则与工艺缩小;二极管基本结构、参数、静态特性、动态特性、二极管分析模型;MOS晶体管基本结构、阈值电压、亚阈值特性、工作区、沟道长度调制、速度饱和、MOS晶体管分析模型;反相器静态特性、开关阈值、噪声容限、稳定性，反相器动态特性、电容构成，传播延迟分析与尺寸计算、反相器静态功耗、动态功耗;静态互补CMOS组合逻辑门设计、尺寸设计、延迟计算与优化，有比逻辑基本原理、传输管逻辑基本原理;动态CMOS设计基本原理、信号完整性问题及其速度与功耗;时序逻辑器件时间参数、静态锁存器和寄存器的工作原理、C2MOS寄存器结构与特性;时钟的设计策略和影响因素;导线中的传输线效应，电容寄生效应、电阻寄生效应。
(一)数字集成电路基本概念和质量评价
1.复习内容
数字集成电路设计中的基本概念、面临问题和质量评价标准
2.具体要求
设计约束
时钟设计
电源网络
设计质量评定标准
集成电路成本构成
电压传输特性
噪声容限
再生性
扇入扇出
传播延迟
功耗、能耗
设计规则
标准单元
工艺偏差
工艺尺寸缩小
封装
(二)器件
1.复习内容
定性了解二极管、MOS晶体管，理解其工作...
09-28
出国留学考研网为大家提供西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础，更多考研资讯请关注我们网站的更新!
西安电子科技大学2018考研大纲：801半导体物理与器件物理基础
“半导体物理与器件物理”(801)
一、 总体要求
“半导体物理与器件物理”(801)由半导体物理、半导体器件物理二部分组成，半导体物理占60%(90分)、器件物理占40%(60分)。
“半导体物理”要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律。重点掌握半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识、基本概念及相关理论，掌握半导体中载流子浓度计算、电阻(导)率计算以及运用连续性方程解决载流子浓度随时间或位置的变化及其分布规律等。
“器件物理”要求学生掌握MOSFET器件物理的基本理论和基本的分析方法，使学生具备基本的器件分析、求解、应用能力。要求掌握MOS基本结构和电容电压特性;MESFET器件的基本工作原理;MOSFET器件的频率特性;MOSFET器件中的非理想效应;MOSFET器件按比例缩小理论;阈值电压的影响因素;MOSFET的击穿特性;掌握器件特性的基本分析方法。
“半导体物理与器件物理”(801)研究生入学考试是所学知识的总结性考试，考试水平应达到或超过本科专业相应的课程要求水平。
二、 各部分复习要点
●“半导体物理”部分各章复习要点
(一)半导体中的电子状态
1.复习内容
半导体晶体结构与化学键性质，半导体中电子状态与能带，电子的运动与有效质量，空穴，回旋共振，元素半导体和典型化合物半导体的能带结构。
2.具体要求
半导体中的电子状态和能带
半导体中电子的运动和有效质量
本征半导体的导电机构
空穴的概念
回旋共振及其实验结果
Si、Ge和典型化合物半导体的能带结构
(二)半导体中杂志和缺陷能级
1.复习内容
元素半导体中的杂质能级，化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。
2.具体要求
Si和Ge晶体中的杂质能级
杂质的补偿作用
深能级杂质
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的杂质能级
等电子杂质与等电子陷阱
半导体中的缺陷与位错能级
(三)半导体中载流子的统计分布
1.复习内容
状态密度，Fermi能级，载流子统计分布，本征和杂质半导体的载流子浓度，补偿半导体的载流子浓度，简并半导体
2.具体要求
状态密度的定义与计算
费米能级和载流子的统计分布
本征半导体的载流子浓度
杂质半导体的载流子浓度
杂质补偿半导体的载流子浓度
简并半导体及其载流子浓度、简并化条件、简并半导体的特点与杂质带导电
载流子浓度的分析计算方法...
日前，日前东京工业大学开发出能提高OLED显示器稳定度的新氧化物半导体。跟着留学群来看看吧。
东京工业大学(Tokyo Institute of Technology)的研究人员开发出新颖的透明氧化物半导体材料，当设计于OLED显示器的电子注入层和传输层时，能够提高电子迁移率。
由东京工业大学创新研究所(Institute of Innovative Research)教授细野秀雄(Hideo Hosono)主导的这项研究，是日本科学技术振兴机构(Japan Science and Technology Agency;JST)「策略基本研究计划」(Strategic Basic Research Programs)的一部份。研究人员专注于铟镓锌氧-薄膜晶体管(IGZO-TFT)如何应用在OLED显示器上，因而成功地利用透明非晶氧化物开发用于电子注入层和电子传输层的新材料。
新开发的透明氧化物半导体——铝酸钙电极(a-C12A7：e)和硅酸锌(a-ZSO)，据称能够在将IGZO-TFT应用于OLED显示器时提高其稳定性，同时降低制造成本。
研究人员在美国国家科学院院刊(Proceedings of the National Academy of the USA)在线版发布其研究结果，在其主题为「用于有机电子的透明非晶氧化物半导体：应用于转化OLED」的论文中，a-C12A7：e被描述为具有超低的3.0 eV功函数(相当于锂金属)，可用于增强从a-ZSO到发射层的电子注入特性。
a-ZSO据称能表现出3.5eV的低功函数以及1cm^2/(V·s)的高电子迁移率，超过一般有机材料约两个数量级。硅酸铝锌也可以与传统阴极和阳极材料共同形成奥姆接触，使其成为非常通用的传输层。
利用这种新材料，研究人员能制造出性能相当于或优于堆栈结构的OLED，即使是其采用反向堆栈结构(阴极在底部的结构)时。这是因为新材料避免了有机半导体的低电子迁移率，而其透明度则可实现任何堆栈顺序。
研究人员还在大面积基板上展示其新半导体材料的可制造性，以及与沈积透明ITO电极一样简单。此外，该薄膜是非晶质的，具有优异的平滑度，因而可让薄膜与其上形成的ITO电极同时进行湿式蚀刻，从而简化大量生产的制程。
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